HBM4时代开启，美光抢滩AI内存高地

2024年6月10日，美光科技正式宣布，已向多家关键客户交付容量为36GB的HBM4（12层堆叠）工程样品。这标志着其高带宽内存（HBM）产品迈入新阶段，为下一代AI加速平台提供更强算力支持。

新款HBM4内存基于美光成熟的1β（1-beta）工艺制程与24Gb DRAM Die，采用12层堆叠封装，配备2048位接口，单堆栈带宽超过2.0TB/s，较前代HBM3E性能提升超60%，能效提升超过20%。该产品还具备先进的MBIST（内建自检）功能，有效增强与逻辑xPU间的数据交互效率，显著提升AI推理速度和能耗控制。

美光表示，HBM4专为无缝整合下一代AI系统设计，尤其适用于数据中心中的大型语言模型与高密度推理工作负载。公司计划于2026年扩大HBM4产能，与客户AI平台的量产节奏保持同步，助力医疗、金融、交通等多个领域实现智能化升级。

目前HBM4市场竞争激烈，SK海力士已率先向英伟达交付样品，并瞄准2024年内实现量产。三星则采用1c DRAM工艺推进HBM4开发，预计今年三季度完成验证。美光尽管出样稍晚，但已领先三星一步，积极追赶行业前列。

美光云内存业务部高级副总裁Raj Narasimhan表示：“HBM4的性能、更高的带宽和领先的能效，充分体现了我们在内存技术领域的持续创新。我们将继续通过强大的AI内存和存储产品组合，支持客户在生成式AI时代的加速发展。”

HBM4的推出不仅巩固了美光在AI内存领域的重要地位，也预示着半导体产业将进一步迈向更高密度、低功耗的3D集成新时代。
随着AI模型体量日益庞大，高速、低功耗的存储解决方案成为系统瓶颈突破的关键。HBM4凭借其在带宽、能效与封装工艺上的显著提升，为生成式AI、大语言模型、图神经网络等前沿应用提供了强有力的底层支撑。

此外，HBM4的部署也将带动包括先进封装（如TSMC CoWoS、Samsung I-Cube）、高性能PCB基板、测试验证设备在内的上下游产业链加速发展，推动全球半导体生态向更高性能、更低功耗、更高集成度演进。

在竞争格局方面，虽然SK海力士和三星依然在先发优势和工艺节点上保持领先，但美光正在通过技术突破与客户协同，缩小差距、重塑市场格局。随着2026年HBM4进入大规模量产阶段，AI内存市场的格局或将迎来新一轮洗牌。

可以预见，在AI驱动的新算力时代，高带宽内存将成为系统性能跃迁的核心引擎，而HBM4则是这场技术竞赛中的关键里程碑。