Micron全面退出移动NAND开发,存储原厂聚焦高端产品应对AI浪潮

更新时间: 2025-08-29     浏览量: 122

Micron全面退出移动NAND开发,存储原厂聚焦高端产品应对AI浪潮

Micron宣布全面停止移动NAND开发,转向高利润存储产品

随着存储市场结构持续变化,原厂厂商纷纷调整产品策略,以因应不同细分市场的冷热不均。Micron近日宣布,将在全球范围内终止未来移动NAND产品的开发,包括全面停止UFS 5(第五代通用闪存存储)的研发工作。该公司表示,此举主要由于移动NAND在市场表现持续疲弱、增长动能放缓,相较之下,其他NAND应用场景的前景更具吸引力。

Micron强调,停止开发移动NAND并不会影响其在其他NAND领域的投入,未来仍将专注于包括企业级SSD、车用存储等高价值终端市场的NAND解决方案。同时,Micron也将持续深耕移动DRAM领域,维持DRAM产品线的完整性。

根据其最新公布的2025财年第三财季(2025年3月至5月)财报,Micron营收达93亿美元,环比增长15%,同比大增37%。其中DRAM业务为主要驱动力,营收达70.71亿美元,占总营收比重高达76%,而HBM(高带宽内存)业务更是环比劲增近50%。同期NAND业务收入为21.55亿美元,环比增长16.2%,但相较DRAM业务表现仍显逊色。

据悉,移动NAND主要应用于智能手机、平板等便携设备,包括eMMC、UFS、移动SSD、闪存卡等产品。近年来受制于消费电子需求疲软,该类产品成长受限,已不再是厂商聚焦的重点。

存储产业冷热分明:原厂策略转向高端产品,部分市场供不应求

近年来,全球存储市场呈现“冰火两重天”的局面。一方面,消费电子需求疲弱限制了传统存储产品的成长;另一方面,AI应用蓬勃发展,对高性能、大容量存储产品的需求持续升温,成为拉动存储原厂业绩增长的重要动能。

面对市场此消彼长的结构变化,存储原厂纷纷调整产品策略以优化资源分配。

在DRAM方面,原厂聚焦于DDR5和HBM等高端产品,并逐步压缩DDR4产能。例如,Micron在2025年6月已宣布启动DDR4停产计划,预计将在6到9个月内逐步减少DDR4出货,最终全面停产。

随着原厂减产,DDR4供应明显收紧,尽管需求尚未大幅下滑,导致现货市场价格迅速攀升,预期下半年合约价格也将持续上扬。

TrendForce集邦咨询最新报告指出,2025年下半年DDR4市场将持续供不应求,在服务器刚性需求带动下,PC及消费级市场资源被压缩。PC OEM厂商不得不加快DDR5导入,而消费电子厂商则面临高价、供应紧张的双重挑战。此外,DDR市场紧张态势亦推高了移动DRAM价格,第三季LPDDR4X价格涨幅创下近十年单季新高。

在NAND领域,原厂同样将产能向高毛利产品倾斜。受惠于AI应用普及,企业级SSD市场订单火热。据TrendForce 7月调查,今年NVIDIA Blackwell平台出货持续攀升,北美服务器市场需求扩张,中国一线客户订单动能强劲,预计将延续至下半年。第三季企业级SSD合约价有望上涨5%至10%。

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