双向赋能！美光收购力积电台湾晶圆厂，携先进制程授权与封装合作重塑存储格局

据 TrendForce 集邦咨询最新发布的 DRAM 产业深度调查报告显示，全球存储巨头 Micron（美光科技）已正式披露计划，以 18 亿美元现金收购 PSMC（力积电）位于中国台湾苗栗县铜锣乡的专属厂房（交易标的不含生产相关机器设备），双方同步达成长期战略合作协议，核心围绕 DRAM 先进封装代工业务展开深度绑定。此次跨界合作不仅将为美光快速补充先进制程 DRAM 产能，更将助力力积电升级成熟制程 DRAM 的供应规模与技术水平，集邦咨询明确预判，2027 年全球 DRAM 产业的整体供给预期将迎来实质性上修。

回溯此次收购的行业背景，2025 年下半年以来，全球半导体产业呈现结构性需求爆发态势：ASIC（专用集成电路）领域的技术迭代与 AI 推理场景的规模化落地，分别催生了对 HBM3e（高带宽存储 3e 版本）和 DDR5（第五代双倍数据速率内存）的强劲需求，两大细分市场的增长直接带动 DRAM 产业整体利润率显著提升，这也成为美光加速推进产能扩充战略的核心驱动力。从交易标的细节来看，美光此次收购的铜锣厂涵盖完整的土地、主体厂房及高标准无尘室设施，无需从零启动基建工程，大幅缩短了产能爬坡周期。按照规划，美光将在 2026 至 2027 年分阶段向该厂房移入既有成熟设备及新订购的生产装置，其中以 DRAM 先进制程的前段核心设备为部署重点，预计 2027 年正式进入量产阶段。根据集邦咨询的测算，铜锣厂一期项目在 2027 年下半年释放的产能，将相当于美光 2026 年第四季度全球 DRAM 总产能的 10% 以上，成为其应对高端存储需求缺口的关键增量。

从美光的全球产能布局战略来看，此次收购并非孤立动作，而是其加速产能扩张的重要一环。数据显示，2025 年第三季度美光在全球 DRAM 产业的营收市占率达到 25.7%，位列行业第三，与头部厂商仍存在一定差距。自 2024 年 AI 产业热潮全面兴起以来，HBM、DDR5、LPDDR5X 等先进制程 DRAM 产品的市场需求持续激增，为抢占市场先机，美光采取了 “自建 + 收购” 双线并行的产能扩张模式：一方面持续推进美国 ID1 工厂、新加坡 HBM 后段封装产能的建设项目；另一方面积极通过收购成熟厂房缩短产能建置时程，在此之前已先后收购 AUO（友达光电）台南 2 座工厂、AUO Crystal 台中厂房及 Glorytek 台中厂房，分别用于晶圆测试（Wafer Probe）、金属化（Metallization）、HBM TSV（硅通孔技术）等关键环节的产能补充。此外，美光还规划将部分新加坡 NAND Flash（闪存）无尘室进行技术改造，转型为 DRAM 金属化产线，进一步优化产能结构。

对于力积电而言，此次合作同样具有战略转型意义。目前力积电的现有 DRAM 产能主要采用 25nm、38nm 等相对成熟的制程工艺，受限于技术瓶颈，其 DDR4 内存产线只能聚焦于小容量产品，在消费级 DRAM 市场的竞争力逐渐受限。而在与美光签署合作意向书后，力积电将获得关键技术赋能：预计未来一年内将正式获得美光 1Y nm 制程授权，后续根据合作推进情况，还有机会进一步取得 1Z nm 先进制程授权。借助这一技术突破，力积电将能够显著提升 DDR4 产品的存储容量，不仅可巩固其在 Consumer DRAM（消费级 DRAM）市场的制程竞争力，还能有效扩大位元产出规模，同时由于产品定位与美光的先进产品线形成差异化，不会产生直接市场竞争，实现了双方的优势互补。

集邦咨询强调，此次美光与力积电的合作，本质上是全球存储产业 “产能优化 + 技术互补” 趋势的缩影。随着 AI、云计算等下游应用的持续渗透，DRAM 市场的结构性需求分化将愈发明显，先进制程与成熟制程产品的市场空间将同步扩大。此次收购完成后，美光的高端 DRAM 产能将得到快速补充，力积电则借助技术授权实现产业升级，双方的协同效应有望进一步重塑全球 DRAM 产业的供给格局，而 2027 年铜锣厂产能的释放，也将为缓解全球高端存储供需失衡提供重要支撑。